QUAL-DEP資格污染標準產(chǎn)品介紹：
來自 TSI 分部 MSP 的 Qual-Dep資格污染標準是特定于工具的標準，可驗證性能、降低驗收風險并幫助匹配/對齊檢測系統(tǒng)。
合格缺陷檢測設(shè)備
使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 在半導體晶圓廠安裝期間驗證檢測工具的性能，以確認工具的性能符合規(guī)范，從而促進客戶的快速驗收。這些針對晶圓和掩模版檢測工具的認證標準專供每位客戶使用，從而簡化了采購流程并提供批量定價。
制造電子設(shè)備
使用 Qual-DepQualification Wafer and Reticle Contamination Standards 定期檢查檢測工具的性能支持您的制造操作的統(tǒng)計過程控制 (SPC)。MSP 的粒子沉積一致性允許您使用多種污染標準來可靠地匹配單個晶圓廠內(nèi)的檢測/計量工具之間以及多個晶圓廠之間的全局性能。
QUAL-DEP資格污染標準規(guī)格：
三層包裹單晶圓托運人Qual-Dep認證污染標準是根據(jù)客戶規(guī)范構(gòu)建的，通常是在使用Dev-Dep™ 開發(fā)污染標準開發(fā)工具或流程之后?？捎糜?Dev-Dep™ 開發(fā)污染標準的相同可定制屬性也可用于在您選擇的基材上進行的每個沉積：
存款模式類型
存款規(guī)模和頭寸
顆粒材料
粒徑
粒子數(shù)
基材
可以在各種基材上進行沉積，包括晶片、光罩（光掩模）、薄膜和圓盤?？蛻敉ǔ峁┧麄冞x擇的掩模版，但 MSP 也提供光學光掩模坯。MSP 通常提供用于沉積的裸硅晶片，但也會處理客戶提供的具有薄膜、圖案或其他專有規(guī)格的晶片。
晶圓或光罩污染標準基礎(chǔ)項目
Qual-Dep認證污染標準（基礎(chǔ)項目）由晶圓或掩模版上的一個沉積物（采用三層包裝）和每個粒徑標準的完整文檔（沉積摘要、合格證書、校準證書）組成。
見證晶圓
為了驗證任何晶圓或掩模版沉積工藝（200 毫米或 300 毫米硅晶圓除外），MSP 首先使用相同的沉積配方在“見證晶圓”上沉積顆粒。Witness 晶圓（200 毫米或 300 毫米）使用靈敏度約為 35 納米的掃描表面檢測系統(tǒng) (SSIS) (KLA Surfscan SP2) 進行檢測。每個 Witness Wafer 都帶有沉積摘要，其中包括 SSIS 檢查結(jié)果（僅報告）?？梢詫?Witness Wafer 運送給客戶（報告和運送），但需要支付額外費用。
對于小于 80 納米（PSL 光散射等效值）的顆粒，建議使用 300 毫米見證晶圓，因為 300 毫米晶圓通常在小尺寸時具有較低的背景計數(shù)，并且比 200 毫米晶圓提供更好的檢測信噪比。對于更大的顆粒尺寸，200 毫米的晶圓更具成本效益。
晶圓檢測
MSP 使用靈敏度約為 35 nm 的掃描表面檢測系統(tǒng) (SSIS) (KLA Surfscan SP2) 檢測 200 毫米或 300 毫米裸硅見證晶片的顆粒。隨標線片污染標準一起提供的沉積摘要中提供了檢查結(jié)果，包括帶有粒度信息和每個沉積的近似計數(shù)的掃描圖像。
QUAL-DEP資格污染標準特點與優(yōu)勢：
Qual-Dep資格污染標準為設(shè)備供應商和晶圓廠提供了其他標準所不具備的幾個主要優(yōu)勢。
排他性
Qual-Dep資格污染標準作為具有專用部件號的獨家商品出售，簡化了采購流程并確保從訂單到訂單的規(guī)格一致。
